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热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRF6612TR1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装剪切带（CT）
  • 系列HEXFET®
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）24A（Ta），136A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）3.3 毫欧 @ 24A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.25V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）45nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3970pF @ 15V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）2.8W（Ta），89W（Tc）
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DIRECTFET™ MX
  • 封装/外壳DirectFET™ 等容 MX

其它信息

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