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热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • BGA7L1N6E6327XTSA1

  • 制造商:Infineon Technologies
  • 批号:19+
  • 描述:射频放大器 RF SILICON MMIC
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,BGA7L1N6E6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:射频放大器
  • RoHS:
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TSNP-6
  • 类型:LNA for LTE
  • 技术:SiGe
  • 工作频率:728 MHz to 960 MHz
  • P1dB - 压缩点:- 2 dBm
  • 增益:13.3 dB
  • 工作电源电压:3.3 V
  • NF—噪声系数:0.9 dB
  • 工作电源电流:4.5 mA
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 商标:Infineon Technologies
  • 输入返回损失:25 dB
  • 隔离分贝:25 dB
  • Pd-功率耗散:60 mW
  • 产品类型:RF Amplifier
  • 工厂包装数量:15000
  • 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits
  • 零件号别名:7L1N6 BGA E6327 SP001109134

其它信息

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