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BFR 35AP E6327相关型号
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图片仅供参考,请参考产品描述

  • BFR 35AP E6327

  • 制造商:Infineon Technologies
  • 批号:19+
  • 描述:射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,BFR 35AP E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:射频(RF)双极晶体管
  • RoHS:
  • 系列:BFR35
  • 晶体管类型:Bipolar
  • 技术:Si
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:2.5 V
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 配置:Single
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOT-23
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 集电极—基极电压 VCBO:20 V
  • 直流电流增益 hFE 最大值:70 at 15 mA at 8 V
  • 高度:1 mm
  • 长度:2.9 mm
  • 工作频率:5000 MHz
  • 类型:RF Bipolar Small Signal
  • 宽度:1.3 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 最大直流电集电极电流:0.045 A
  • Pd-功率耗散:280 mW
  • 产品类型:RF Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:Transistors
  • 零件号别名:BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327XT SP000011060
  • 单位重量:8 mg

其它信息

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